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あ、質問も答え方も覚えてるのしか載ってませんよ…(´･ω･｀) キャリア密度の温度依存性グラフ（理論グラフ） >> B1(C7) ホール効果 質問：考察の３（エネルギーバンド図からキャリア密度の温度依存性を説明） 解答例：（n型を例にすると）少しエネルギーを得ると、ドナー順位にあったキャリアが伝導帯に移動しはじめる（温度Tが図の３の範囲）。 もう少しエネルギーを得ると、ドナー順位にあったキャリアが全て伝導帯に移動する（図の２の範囲）。 もっとエネルギーを得ると、荷電子帯にあるキャリアも伝導帯に移動する（図の１の範囲）。 指導書p.72図7(a)の図を用いると、３では「余った電子」が電気伝導に使われ始め、２では全ての「余った電子」が使われ始め、１ではSiの周りの電子がSiとの結合を切って伝導電子になる（んだった気がする…） 質問：考察の４（キャリア密度の温度依存性から不純物の密度を求める。という質問だけ） 解答例：実際の実験結果から求めたキャリア密度の温度依存性グラフから、図の青い線のように飽和する場所のキャリア密度の数値が不純物密度になる。（書き方がわかりにくいかな…？） 質問：考察の９（キャリア密度・温度を下げず、キャリア移動度を高くする方法） 解答例：実際の結晶は（例えばp.69図３のSi結晶のモデルを挙げて）綺麗並んでおらず、ところどころ抜けていたり位置がおかしかったりする。そうすると、欠損部分は移動しにくいので、これを改善するためには完全な結晶を作る。 その他 ・最後に先生が全て解説してくれます（男の先生は） ・質問はもっといっぱいあります ・かなり前のことなのでもう覚えていません(´･ω･｀) 参考：口頭試問の先生(男) |
